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[发明专利]分析磁性随机存取存储器的设备与方法-CN200410095360.0有效
发明人：朴玩浚;黄仁俊;金泰完 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-11-24 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：提供一种MRAM的分析设备和MRAM的分析方法。该分析设备包括：安装MRAM的MRAM安装部件；位于MRAM安装部件周围、向安装在MRAM安装部件的MRAM施加外磁场的磁场施加部件；位于对应于MRAM安装部件位置的探针板；指定MRAM的单位存储单元的矩阵开关；向MRAM的单位存储单元施加内磁场或者测量MRAM单位存储单元的电阻的源测量部件；存储与分析关于所测量的每个MRAM单位存储单元的电阻数据的计算机部件。
分析磁性随机存取存储器设备方法

[发明专利]采用从共享的自旋转矩写入操作电路路径分离的读取操作电路路径的电压切换磁阻随机存取存储器(MRAM)-CN201880043782.3在审
发明人：李夏;J·J·坎;康相赫;杨斌;陶耿名 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：公开了一种电压切换磁阻随机存取存储器(MRAM)，该存储器采用与共享的自旋转矩写入操作电路路径分离的读取操作电路路径。该MRAM包括MRAM阵列，其中MRAM阵列包括MRAM位单元行，每个MRAM位单元行包括多个MRAM位单元。MRAM位单元行上的MRAM位单元共享一个公共电极，以为写入操作提供共享的写入操作电路路径。还为每个与写入操作电路路径分离的MRAM位单元提供专用读取操作电路路径。结果，MRAM位单元的读取操作电路路径不会由于MRAM位单元相对于公共电极的不同布局位置而改变。因此，MRAM位单元的读取寄生电阻不会因为它们相对于公共电极的不同耦合位置而彼此不同。
采用共享自旋转矩写入操作电路路径分离读取电压切换磁阻随机存取存储器

[发明专利]一种时钟自适应访问MRAM的装置-CN201910026910.X有效
发明人：丁永林;林琳;廖湘萍;邱蔚 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种时钟自适应访问MRAM的装置，包括MRAM读写控制单元、时钟分频单元和时钟门控单元，MRAM读写控制单元产生最高时钟分频比，输出到时钟分频单元；根据输入的MRAM读写命令，产生时钟门控使能控制信号，输出到时钟门控单元；将输入的MRAM的读写命令，转换成MRAM的读写控制信号，输出到MRAM；时钟分频单元将外部输入时钟转换为访问MRAM最高频时钟，输出到时钟门控单元；时钟门控单元根据时钟门控使能控制信号，将访问MRAM最高频时钟，转换成MRAM读写时钟，输出到MRAM。本发明在采用MRAM替代SRAM的存储器架构设计中，不需要降低存储器的读写访问速度，也不需要重新设计外部访问存储器的控制逻辑，就可以根据输入时钟产生MRAM读写时钟信号，从而便于采用MRAM来替代SRAM
一种时钟自适应访问 mram 装置

[发明专利]具有OTP单元的MRAM存储器-CN202010141163.7在审
发明人：阿尼尔班·罗伊;尼哈·N·马哈特梅 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：磁阻随机存取存储器(MRAM)包括具有MRAM单元的MRAM阵列，每个MRAM单元包括磁性隧道结(MTJ)。该MRAM包括数据写入电路，该数据写入电路被配置成在一次可编程(OTP)写入模式下或在非OTP写入模式下写入。在该OTP写入模式下，该数据写入电路被配置成跨越第一多个MRAM单元中的选定MRAM单元提供高写入电压量值，以便永久性地熔断该选定MRAM单元的对应隧道介电层。在该非OTP写入模式下，该数据写入电路被配置成跨越选定MRAM单元提供较低写入电压量值，以便设置每个MRAM单元的对应自由层的磁化以调节每个MRAM单元的电阻，而不熔断每个MRAM单元的该对应隧道介电层
具有 otp 单元 mram 存储器

[发明专利]MRAM芯片及其功耗控制方法-CN201510203650.0在审
发明人：戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： G06F1/32 文献下载
摘要：一种MRAM芯片及其功耗控制方法，所述MRAM芯片包括：总线监听及电源控制模块和主MRAM模块；所述总线监听及电源控制模块用于监听系统总线上使用所述主MRAM模块的指令，并控制对所述主MRAM模块进行供电的电源线的切断或接通；所述主MRAM模块用于程序运行中CPU计算时所涉及数据的随机存取。上述MRAM芯片的功耗控制方法包括：若监测到预设时间内未收到任何来自系统总线上使用所述主MRAM模块的指令，则切断对所述主MRAM进行供电的电源线。本发明技术方案能降低MRAM芯片的待机功耗。
mram 芯片及其功耗控制方法

[发明专利]一种基于FPGA的从SDRAM到MRAM的接口转换系统及方法-CN202110604283.0有效
发明人：成元庆;卢诚成;彭笑;张有光;赵巍胜;王锐 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G06F13/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于FPGA的从SDRAM到MRAM的接口转换系统及方法，采用FPGA来完成数据传输和各种时序逻辑同步的控制。该发明包括SDRAM命令解码模块、MRAM命令模块以及MRAM数据读写模块；SDRAM命令解码模块实现控制/地址信号解码并控制MRAM工作状态的功能，把SDRAM控制器发出的各种命令解码成对应的MRAM工作状态并将其传递给MRAM命令控制模块；MRAM命令模块通过MRAM的工作状态发送控制MRAM的命令，并把读/写的信号传递给MRAM数据读写模块；MRAM数据读写模块则是进行数据读写。本发明利用不需要改变处理器内部的内存控制器，也可以用MRAM代替SDRAM作主存并能适配现行的嵌入式系统处理器，最终实现低功耗的数据存储。
一种基于 fpga sdram mram 接口转换系统方法

[发明专利]磁性存储器及其制备方法-CN201911237999.0有效
发明人：孟皓;迟克群 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性存储器及其制备方法，所述磁性存储器包括至少一个混合存储阵列，所述混合存储阵列包括相邻设置的STT‑MRAM阵列和SOT‑MRAM阵列，其中，所述STT‑MRAM阵列包括按阵列排布的STT‑MRAM存储单元，所述SOT‑MRAM阵列包括按阵列排布的SOT‑MRAM存储单元，所述STT‑MRAM存储单元与所述SOT‑MRAM存储单元具有相同的层叠结构。
磁性存储器及其制备方法

[发明专利]一种包含MRAM的芯片及其测试方法与维护方法-CN201610532012.8在审
发明人：戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种包含MRAM的芯片，MRAM中包含存储单元或备用存储单元，MRAM设置有状态寄存器，状态寄存器用于被写入设定的MRAM维护状态字时MRAM允许在内部处理器或外部处理器上运行的软件操作备用存储单元本发明还提供一种包含MRAM的芯片的测试方法与维护方法。本发明提供的包含MRAM的芯片及其测试方法与维护方法，通过在内部处理器或外部处理器运行的软件进行测试或维护，MRAM内不再需要设置自测试系统，从而降低了MRAM的成本；通过运行优先级的设置，能更容易地减小MRAM维护对系统运行的干扰；采用纯软件的测试与维护比硬件的维护更具灵活性。
一种包含 mram 芯片及其测试方法维护

[发明专利]一种存储装置及保持存储装置的MRAM存储器中数据的方法-CN201810161814.1在审
发明人：戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储装置及保持存储装置的MRAM存储器中数据的方法；存储装置包括控制器芯片、闪存以及用于暂时存储数据的MRAM存储器，控制器芯片内含CPU，CPU定期将MRAM存储器中的数据读出，然后再写回MRAM存储器；保持存储装置的MRAM存储器中数据的方法，存储装置包括控制器芯片、闪存以及用于暂时存储数据的MRAM存储器，控制器芯片内含CPU，CPU定期将MRAM存储器中的数据读出，然后再写回MRAM存储器；本发明提供了通过软件实现MRAM的自刷新，以解决MRAM有限保持期的数据安全问题的方法及相应的存储装置。
存储装置控制器芯片存储数据闪存写回读出数据安全问题软件实现保持期自刷新

[发明专利]存储器和存储器电路-CN03810475.X无效
发明人： P·J·范德扎格;M·J·爱德华兹;K·－M·H·伦森 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-04-29 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：使用磁阻随机存取存储器(MRAM)提供用于显示装置的像素内存储器电路。存储器电路(25)包括两个MRAM(60，62)，每一个均耦合至触发器电路(64)的相应输入。其中一个MRAM为可切换MRAM(60)，另一MRAM为基准MRAM(62)，基准MRAM(62)设置成提供基准，据此易于以差值的形式观察和测量可切换MRAM(60)的改变状态。
存储器电路

[发明专利]一种遥感相机磁性随机存储器的控制系统-CN201510373368.7在审
发明人：张旭;王华;张大鹏;贺强民;刘涛;张守荣;赵建伟 -专利权人：北京空间机电研究所
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种遥感相机磁性随机存储器的控制系统，该控制系统通过上位机发送配置指令，经过MRAM操作配置信息解析器、MRAM地址生成器、PROM数据读取模块、MRAM时序控制器，产生控制MRAM所需的控制信号，将PROM中的目的数据，准确地写入外部磁性随机存储器MRAM；并准确地读取MRAM内的数据；完成对MRAM内部全部存储空间的读写操作，遍历空间大小为8M×32bit，实现对MRAM全部存储空间是否存在坏区的检查以及完成对MRAM写入数据是否正确的检查，具有低功耗、高集成、容量大、抗辐照性能好、可靠性高的优点。
一种遥感相机磁性随机存储器控制系统

[发明专利]一种使用深N阱隔离的MRAM芯片-CN201711250206.X在审
发明人：戴瑾;王志刚 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用深N阱隔离的MRAM芯片，所述MRAM芯片包括MRAM器件及电路、P型半导体衬底、N阱和深N阱；所述N阱位于所述MRAM器件及电路外围，所述深N阱位于所述MRAM器件及电路下方，所述N阱底部与所述深N阱连接在一起，对所述MRAM器件及电路形成三维N阱‑深N阱隔离。本发明能够有效隔绝噪音，提高MRAM芯片读出稳定性。
深N阱芯片电路隔离电路形成衬底读出三维噪音外围

[发明专利]一种利用MRAM保护NAND的方法及存储结构-CN201510142189.2在审
发明人：戴瑾 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：本发明提供一种利用MRAM保护NAND的方法，包括以下步骤：(1)收到写NAND页指令，在MRAM中的写缓存表中查找MRAM中的写缓存中是否存在NAND页对应的MRAM页，如果不存在，执行步骤(2)；如果存在，执行步骤(3)；(2)在写缓存中查找空闲的MRAM页，作为NAND页对应的MRAM页；(3)将写NAND页指令中的数据写入NAND页对应的MRAM页，在清理写缓存时，将数据写入NAND页。本发明还提供一种利用MRAM保护NAND的存储结构。本发明将写入NAND的数据缓存在MRAM中，在清理写缓存时才将数据写入NAND，减少擦写NAND的次数，延长NAND的使用寿命。
一种利用 mram 保护 nand 方法存储结构

[实用新型]一种MRAM芯片测试系统-CN202223610055.3有效
发明人：蔡新元;陈先先 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G11C29/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MRAM芯片测试系统，涉及芯片验证测试技术领域。系统包括上位机、设置有FPGA核心板的FPGA测试底板和MRAM芯片转接板；上位机与FPGA测试底板连接，用于传输目标测试激励至FPGA测试底板上的FPGA核心板；FPGA测试底板连接MRAM芯片转接板，用于利用FPGA核心板根据目标测试激励对MRAM芯片转接板上的MRAM芯片进行测试，并反馈测试信息至上位机。由此可知，上述MRAM芯片测试系统实现了对MRAM芯片的测试；因系统中FPGA测试底板和MRAM芯片转接板具有结构简单、体积小、开发成本低的优势，能有效提高测试效率，满足了MRAM芯片不同封装形式的多项功能验证测试
一种 mram 芯片测试系统

[发明专利]MRAM器件及其制造方法及包括MRAM的电子设备-CN201910601904.2有效
发明人：朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：公开了一种磁性随机存取存储(MRAM)器件及其制造方法及包括这种MRAM的电子设备。根据实施例，MRAM器件可以包括第一数量的第一MRAM单元和第二数量的第二MRAM单元。第一MRAM单元可以具有第一切换电流密度和/或切换磁场强度，而第二MRAM单元可以具有小于第一切换电流密度和/或切换磁场强度的第二切换电流密度和/或切换磁场强度。
mram 器件及其制造方法包括电子设备

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